고려대 김태근 교수 연구팀이 금속 이온의 전기화학적 도핑 방법으로 마이크로 LED의 전기, 광 효율을 높인 고효율 투명전극을 개발했다.
고해상도 마이크로 LED 디스플레이 구현을 위해서는 작고 제한된 픽셀(pixel) 면적에 효과적으로 전류를 주입해 빛의 추출을 극대화해야 한다.
연구팀은 투과도가 98% 이상으로 매우 높은 밴드 갭(band-gap)을 갖는 물질에 선택적 금속 이온 도핑이 가능하다는 것을 확인하고, 밴드 갭 물질 내부에 나노 스케일의 전류주입 경로를 형성했다.
밴드 갭(band-gap)은 전자가 지닐 수 있는 에너지 대역의 차이. 물질의 전도대(conduction band)와 가전대(valence band) 사이의 에너지 차이로, 밴드 갭의 크기로 물질의 전기 전도성 정도가 결정된다.
그 결과 높은 투과도를 유지하며 효과적으로 전류주입이 가능한 새로운 방식의 투명전극 구현에 성공했다.
마이크로 LED는 일반적인 대면적 LED와 비교해 불투명한 p-금속전극에 가려지는 면적이 상대적으로 많아 활성층에서 생성된 빛이 외부로 나가지 못하고 내부에서 재흡수되거나 손실이 발생한다.
연구팀은 가시광 영역에서 투과도가 매우 높은 질화알루미늄(AlN) 물질 내부에 인듐(In)과 주석(Sn) 금속 기반의 전류주입 경로를 형성시켜 높은 투과도는 유지한 채 효과적인 전류주입이 가능한 새로운 방식의 투명전극을 구현하는 데 성공했다.
특히 연구팀이 개발한 투명전극이 적용된 마이크로 LED는 기존에 사용돼 온 인듐주석산화물(ITO) 투명전극 기반의 마이크로 LED보다 전류밀도는 13%, 광출력은 5% 향상된 특성을 보였다.
이 연구 성과는 과학기술정보통신부·한국연구재단 기초연구사업(리더연구)의 지원으로 수행되었으며, 나노 및 마이크로 과학 분야 국제학술지 스몰(Small) 10월 4일에 게재됐다.
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