DGIST는 2021년도 2학기부터 학부생 4학년을 대상으로 반도체 CMOS(상보성 금속산화막 반도체) 공정 실습 교육을 실시한다고 27일 밝혔다.
이론 중심의 기존 반도체 교육에서 나아간 실습 중심의 교육을 통해 차세대 반도체설계 및 공정에 핵심 인재를 양성할 수 있을 것으로 기대된다.
최근 국제적으로 반도체 관련 경쟁력 확보가 매우 치열하다. 대부분 대학의 석·박사과정생 조차도 이론에 치중한 반도체 교육을 받고 있어 관련 반도체 산업계 및 연구분야에 취업 후 실무와 관련한 장기간 재교육이 필요한 실정이다.
특히 우리나라는 반도체 공정 분야에 기술 강국임에도 불구하고이론교육에 치중되어있다.
이에 DGIST는 대학, 차세대 반도체 융합 연구소, 중앙기기센터가 공동으로 학부생의 공정 실습 교육을 진행한다. 이 교육을 통해 DGIST의 학부생들은 Stepper, Ion implantation system등 실제 반도체에 필수 구조인 CMOS를 6인치 실리콘 기판에 일관 공정으로 직접 제작해 보고 전기적 특성을 평가하는 교육을 수행한다.
DGIST는 차세대 반도체 연구 개발을 위해 꾸준히 FAB 시설을 및 전문기술원을 확보해 대학에서는 세계 최고 수준의 반도체 공정 및 분석 FAB을 구축했다. 또한, 이를 토대로 ‘차세대 반도체 융합 연구소’를 개소하는 등 차세대 반도체 개발과 관련한 역량을 강화하고 있다.
DGIST 정보통신융합전공 장재은 교수는 “최근 반도체 관련 기업에서 대졸 신입사원의 실무 능력에 대한 불만이 많다”며, “DGIST는 잘 갖춰진 반도체 연구 인프라를 기반으로 내실 있는 융복합 교육 제공이라는 학교의 이념에 맞춰 매우 실무적이며 심도 있는 교육을 제공할 예정이다”라고 말했다.
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